氮化镓，分子式为GaN，是研发微电子器材、光电子器材的新型半导体资料，并与SiC、金刚石等半导体资料一同，被誉为是继第一代Ge、Si半导体资料、第二代GaAs、InP化合物半导体资料之后的第三代半导体资料。
GaN和SiC同归于第三代高大禁带宽度的半导体资料，和第一代的Si以及第二代GaAs相比，其在特性上优势杰出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器材可在200℃以上的高温下作业，能够承载更高的能量密度，可靠性更高;较大禁带宽度和绝缘损坏电场，使得器材导通电阻削减，有利于提升器材的能效;电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器材高速地作业。
5G商用到来，射频氮化镓技能必不可少
射频氮化镓技能是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。跟着全球移动数据流量的不断增加，各移动运营商正在竭尽全力满足爆炸式增加的流量需求。经过载波聚合能够缓解移动互联网关于数据带宽的需求，载波聚合和大规模多入多出技能促进基站去选用性能更好的功放。基站中曾经选用的射频功放主要根据LDMOS技能，但LDMOS技能的极限频率不超过3.5GHz，也不能满足视频应用所需的300MHz以上带宽。
由于上述原因，基站开端选用射频氮化镓器材来替代LDMOS器材。LDMOS器材物理上现已遇到极限，这便是氮化镓器材进入市场的原因。基站应用需求更高的峰值功率、更宽的带宽以及更高的频率，这些因素都促成了基站接受氮化镓器材。
GaN能够实现更高的功率密度，关于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器材，就能够减小器材电容，然后使得较高带宽系统的规划变得愈加轻松。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高的作业电压，意味着其功率密度及可作业温度更高，因此具有高功率密度、低能耗、合适高频率、支撑宽带宽等特色。
快充类手机需求旺盛
跟着电子产品的屏幕越来越大，充电器的功率也随之增大，尤其是关于大功率的快充充电器，使用传统的功率开关无法改动充电器的现状。而GaN技能能够做到，由于它是目前全球最快的功率开关器材，而且能够在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的元件，应用于充电器时能够有用缩小产品尺度，比方使目前的典型45W适配器规划能够选用25W或更小的外形规划。氮化镓充电器可谓吸引了全球眼球，高速高频高效让大功率USB
PD充电器不再是庞大笨重，小巧的体积一样能够实现大功率输出。
据统计，许多主流的手机厂商都已将USB PD快充协议纳入到了手机的充电配置。USB
PD快充的手机现已多达52款类型和掩盖15个品牌，其中不乏苹果、华为、小米、三星等一线大厂品牌。USB
PD快充将成为目前手机、游戏机、笔记本电脑等电子设备的首选充电计划。
现下，5G商用，消费类电源快充快速遍及，氮化镓在这些范畴都有着较为宽广的应用前景，氮化镓未来可期。
